TIN MỚI NHẬN Góc doanh nghiệp

Bước đột phá trong công nghệ pin sạc

TTXVNCập nhật 12:10 ngày 26/02/2015

Nhóm các nhà khoa học Singapore và Canada có bước đột phá mới trong nghiên cứu công nghệ pin sạc. (Ảnh: IBN, IREQ)

(VTV.vn) - Một nhóm các khoa học Singapore và Canada vừa công bố bước đột phá trong nghiên cứu công nghệ pin sạc.

Công nghệ sạc mới này có thể giúp tăng gấp đôi lượng điện năng dự trữ của pin lithium-ion, vốn thường được sử dụng trong điện thoại thông minh, thiết bị y tế và các phương tiện điện tử khác.

Trong thông cáo báo chí chung ngày 25/2, các nhà nghiên cứu Viện Kỹ thuật Sinh học và Công nghệ Nano (IBN) thuộc trung tâm nghiên cứu A*STAR của Singapore và Viện Nghiên cứu Quebec (IREQ) của Canada cho biết họ đã tổng hợp được hộp nano bằng vật liệu silicate có thể dự trữ lượng điện năng nhiều gấp đôi so với các điện cực phosphate thông thường.

Công trình nghiên cứu giữa IBN và IREQ được bắt đầu từ năm 2011. Các nhà khoa học có kế hoạch tiếp tục nghiên cứu để phát triển vật liệu điện cực mới nhằm chế tạo các pin lithium-ion có dung lượng cao hơn cho mục đích thương mại.

Mời quý độc giả theo dõi Truyền hình trực tuyến các kênh của Đài Truyền hình Việt Nam.

VTV1

WWW.VTV.VN - BÁO ĐIỆN TỬ ĐÀI TRUYỀN HÌNH VIỆT NAM.

Tổng biên tập Vũ Thanh Thủy

Phó Tổng biên tập Phạm Quốc Thắng

Giấy phép hoạt động báo chí điện tử số 306/GP-BTTTT cấp ngày 22/02/2012.

Tổng đài VTV: (04) 3.8355931; (04) 3.8355932

Ðiện thoại Báo điện tử VTV: (04) 66897 897 Email: toasoan@vtv.vn

® Cấm sao chép dưới mọi hình thức nếu không có sự chấp thuận bằng văn bản.

Ghi rõ nguồn VTV.vn khi phát hành lại thông tin từ website này.