Các nhà nghiên cứu Hàn Quốc đã phát triển công nghệ kiểm soát chính xác vị trí hình thành tinh thể bán dẫn 2 chiều, mở ra khả năng chế tạo các chip trí tuệ nhân tạo (AI) tích hợp nhiều lớp với mật độ cao và mức tiêu thụ điện năng thấp.
Nhóm nghiên cứu gồm các nhà khoa học thuộc Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Hàn Quốc (KAIST), Viện Khoa học và Công nghệ quốc gia Ulsan (UNIST), Đại học Hanyang và Công ty TDS Innovation ngày 8/10 đã công bố công nghệ mới cho phép kiểm soát vị trí hình thành tinh thể của vật liệu bán dẫn 2 chiều.
Công nghệ này kiểm soát quá trình hình thành “hạt nhân” - điểm khởi đầu của tinh thể - để các tinh thể bán dẫn chỉ phát triển từ vị trí được xác định trước. Trong thử nghiệm với 400 mẫu, nhóm nghiên cứu đạt tỷ lệ hơn 99% hình thành đơn tinh thể molybdenum disulfide (MoS₂) tại vị trí mong muốn.
Theo nhóm nghiên cứu, khả năng kiểm soát chính xác quá trình hình thành tinh thể giúp hạn chế những khó khăn trong việc chế tạo và xếp chồng các lớp bán dẫn 2 chiều. Đây là một trong những công nghệ nền tảng được kỳ vọng phục vụ phát triển các cấu trúc bán dẫn tích hợp 3D.
Nhóm nghiên cứu cho biết công nghệ mới có thể góp phần tạo ra các chip AI có mật độ tích hợp cao và tiêu thụ ít năng lượng hơn, qua đó đáp ứng yêu cầu ngày càng lớn về hiệu suất tính toán và tiết kiệm điện trong các hệ thống AI.
Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí khoa học quốc tế Nature. Bộ Khoa học và Công nghệ thông tin Hàn Quốc đánh giá đây là bước tiến quan trọng trong việc kiểm soát quá trình phát triển vật liệu bán dẫn 2 chiều, tạo nền tảng cho các công nghệ bán dẫn thế hệ mới.
Bạn không thể gửi bình luận liên tục.
Xin hãy đợi 60 giây nữa.